机译:通过局部阳极氧化在Si(100)和GaAs(100)上制备纳米结构
Brno Univ Technol, Inst Engn Phys, Brno 61669, Czech Republic;
nanotechnology; nanostructure fabrication; local anodic oxidation; AFM; ATOMIC-FORCE MICROSCOPE; SILICON;
机译:使用1-nm InAs浮雕层在(100)Si衬底上制备GaAs / Al_(0.3)Ga_(0.7)As多量子阱纳米结构
机译:使用1-nm InAs浮雕层在(100)Si衬底上制备GaAs / Al_(0.3)Ga_(0.7)As多量子阱纳米结构
机译:通过在(100)GaAs衬底上热真空沉积Ge膜来制备纳米结构物体
机译:ZnSe / GaAs(100)薄层ZnS-ZnSe-ZnS / GaAs(100)单量子阱结构和光辅助VPE生长的ZnS / ZnSe / GaAs(100)超晶格
机译:在InAs(100)和GaAs(100)表面上高k金属氧化物原子层沉积过程中的表面化学和界面演化。
机译:三重热氧化和硅玻璃阳极键合制备和表征亚100/10 nm平面纳米流体通道
机译:通过GE膜的热真空沉积在(100)GaAs基材上通过热真空沉积制造纳米结构物体