机译:InAs(111)A表面的稳定重构和吸附物
NTT Corp, NTT Basic Res Labs, Atsugi, Kanagawa 2430198, Japan;
InAs(111)A surface; STM; adsorbate; first-principles calculations; GAAS(111)A SURFACE; ISLAND FORMATION; 1ST-PRINCIPLES; VACANCY; DENSITY; INAS;
机译:吸附剂诱导的表面应力,表面应变和表面重建:CH(3S)在Cu(100)和Cu(111)上
机译:InAs(111)B表面的表面重建的第一性原理研究
机译:超薄C_(60)富勒烯薄膜对有序吸附物重构的Si(111)衬底表面电导率的影响
机译:C_(60)吸附后吸附剂-1N诱导的Si(111)表面重建的电导率研究
机译:吸附剂诱导的金属表面重建。
机译:考虑表面振动和新的(111)B重构的GaAs和InAs的平衡晶体形状:从头算热力学
机译:吸附物引起的表面应力,表面应变和表面重建:CH(3S)在Cu(100)和Cu(111)上