机译:重构半导体表面俘获的正电子的表面态和an灭特性
Univ Texas, Dept Phys, Arlington, TX 76019 USA;
silicon; reconstruction; surface; positron; localization; annihilation; DENSITY-FUNCTIONAL THEORY; SI(100) SURFACE; CORE ELECTRONS; METAL-SURFACES; SOLIDS; MOLECULES; SILICON;
机译:Ge(100)表面的正电子探针:表面重建和电子-正电子相关对正电子俘获和an灭特性的影响
机译:捕获在硅的(100)和(111)表面上的正电子的表面态和an灭特性
机译:镁引起的摩擦引起的地下区域重结晶的正电子an没研究-非均匀性对测得的正电子an没特性的影响
机译:表面重建与电子正电子相关性对半导体表面捕获的正弦湮灭特性的影响
机译:利用正电子an没诱导的螺旋电子能谱研究正电子在铁表面的量子点状铜颗粒上的俘获。
机译:晶体台阶边缘可以将电子捕获在n型有机半导体的表面上
机译:正离子ni灭研究镁摩擦在地下引起的再结晶-不均匀性对测得的正电子an没特性的影响
机译:用光学模拟LEED模式研究布拉格 - 威廉姆斯紊乱对四面体配位化合物半导体重建极性表面的影响。