应用光伏方法估算硅单晶表面态俘获截面

摘要

提出一个可以非破坏性地估算半导体单晶的表面态俘获截面σon 和σ-p的新方法.此法基于变温光伏测量，采用（111）p型硅单晶（NA=1.5×1016 cm-3）为实验样品.由于表面势垒高度ΦBP=0.575 6 V,表面复合速度sn=4.8×103 cm*s-1以及表面态密度Ds=6.7×1011 cm-2*eV-1可由光伏方法测算，则表面态俘获截面σon≈5×10-13 cm2与σ-p≈2×10-12 cm2可通过应用Shockley-Read体复合理论于表面而被估算.此结果与其它方法得到的有关报导的结果相一致.