机译:氢等离子体退火对a-Si:H / SiO_2和nc-Si / SiO_2多层膜发光的影响
National Laboratory of Solid State Microstructures and Department of Physics, Nanjing University, Nanjing 210093, China;
nanostructures; optical properties; plasma annealing;
机译:中间相硅结构诱导了热退火a-Si / SiO_2多层膜的光致发光增强
机译:nc-Si / SiO_2多层p-i-n结构中共振隧穿对电致发光的影响
机译:氧气气氛中的后退火对富nc-Si SiO_2薄膜光致发光性能的影响
机译:退火温度和掺杂对离子注入SiO_2:nc-Si离子红/近红外发光的影响
机译:载流子注入下Er:SiO 2 / nc-Si多层膜的电学性质和红外发光。
机译:在退火的氢化非晶硅层中形成气泡
机译:富含硅的SiO_2 / SiO_2多层膜:第三代太阳能电池的有前途的材料