Physico-Technical Research Institute of Nizhnii Novgorod State University, 603950, Nizhnii Novgorod, Gagarin prospect, 23/3, Russia;
机译:P〜+,B〜+和N〜+离子注入对SiO_2:nc-Si系统发光性能的影响
机译:富锗掺ErSiO_2层的近红外Er与缺陷相关的光致发光带之间的交叉的温度依赖性
机译:热处理对离子注入法制备的掺Er的富Si的SiO_2光致发光的影响
机译:退火温度和掺杂对离子植入SiO {Sub} 2的红色/近红外发光的影响2:NC-Si
机译:载流子注入下Er:SiO 2 / nc-Si多层膜的电学性质和红外发光。
机译:稀土掺杂NaYF4纳米温度计的1000 nm以上近红外发光对小鼠腹部深部的温度感测
机译:离子注入的$ SiO_2 $:Sn薄膜和玻璃的低温光致发光