机译:Si基和Gaas结构中缺陷态的钝化
Institute of Physics, Slovak Academy of Sciences, 845 11 Bratislava, Slovak Republic;
silicon; gallium arsenide; ultrathin dielectrics; double layer; interface roughness;
机译:通过中型生长在硅上实现无裂纹的GaAs外延:应用于基于硅的波长选择光电探测器通过中型生长在硅上实现无裂纹的GaAs外延:在基于Si的波长选择光电探测器上
机译:III-V型化合物半导体中的缺陷结构:氢化物传输汽相外延生长的InGaAs和InGaAsP外延层中缺陷结构的产生和演化
机译:通过氰化物处理钝化Si和Si / SiO_2界面态中的缺陷态:改善了针结非晶硅和晶体硅基金属氧化物半导体结太阳能电池的特性
机译:CF_4等离子体钝化GaAs / AlGaAs多量子阱结构中的生长缺陷
机译:晶格 - 失配GaAs(001)的应变弛豫机制和界面缺陷的研究 - 基于异质结构
机译:基于GaAs的集成无源器件技术的具有空桥结构的高频兼容小型带通滤波器
机译:具有有效缺陷钝化和高电子迁移率的GaAs / AlGaAs核壳纳米线的调制掺杂