机译:研究界面缺陷对MOSFET栅极漏电流的影响
School of Electronics & Information Engineering, Soochow University, 178 Can-jiang East Road, Suzhou 215021, PR China;
defects; MOSFETs; tunneling; stress-induced leakage current;
机译:UTB SOI MOSFET中背栅对栅极感应的漏极泄漏和栅极电流的影响的建模
机译:高MOSFET的栅极引起的漏漏和栅极边缘直接隧穿电流中的随机电报噪声研究
机译:使用超薄氧化物MOSFET的栅极泄漏电流的1 / f〜γ噪声的缺陷光谱
机译:具有SI / SIO_2接口模型的双栅MOSFET中的栅极泄漏电流从第一原理计算
机译:独立双栅极SOI MOSFET晶体管泄漏电流的仿真分析。
机译:Birinapant和紫杉醇联合对胰腺癌细胞的时间效应该研究通过大规模的基于离子流的定量蛋白质组学研究(IonStar)
机译:采用不同技术制备的栅极电介质的N沟道mOsFET中的断态栅极漏电流