机译:氧化钨薄膜的微观结构演变
Department of Instrumentation, Indian Institute of Science, Bangalore - 560 012, India Theoretical Science Unit, Jawaharlal Nehru Centre for Advanced Scientific Research, Jakkur, Bangalore - 560064, India;
Department of Instrumentation, Indian Institute of Science, Bangalore - 560 012, India;
Department of Instrumentation, Indian Institute of Science, Bangalore - 560 012, India;
tungsten oxide; annealing; microstructure; instability;
机译:氧化钨薄膜作为新型材料,对NO_(2),O_(3)和H_(2)S具有高灵敏度和选择性。第一部分:氧化钨薄膜的制备和微观结构表征
机译:电沉积电致变色氧化钨薄膜的退火诱导组织演变
机译:掺锡诱导通过喷雾热解生长的钨纳米氧化物薄膜的微观结构,光学和电学行为的变化
机译:钨等离子体中异戊五烯戊腈制得的薄钨和氧化钨薄膜
机译:二氧化硅上的铜镁薄膜的微观结构演变和界面反应。
机译:多壁碳纳米管掺杂氧化钨薄膜用于氢气传感
机译:来自W2(NME2)6和水的氧化钨(III)氧化物薄膜的原子层沉积:薄膜材料中的氧化态的基于前体的控制