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【2h】

Atomic Layer Deposition of Tungsten(III) Oxide Thin Films from W2(NMe2)6 and Water: Precursor-Based Control of Oxidation State in the Thin Film Material

机译：来自W2（NME2）6和水的氧化钨（III）氧化物薄膜的原子层沉积：薄膜材料中的氧化态的基于前体的控制

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