机译:原子层沉积中黏附系数的温度依赖性
Fraunhofer IKTS, 01277 Dresden, Germany;
Department of Electrical Engineering and Information Technology, IHM, Technische Universitaet Dresden, 01062 Dresden, Germany;
Fraunhofer IKTS, 01277 Dresden, Germany;
atomic layer deposition; sticking coefficient; temperature dependence; deep trench; simulation; TEMAHf;
机译:确定原子层沉积中前驱分子黏附系数的方法
机译:远程等离子原子层沉积生长的氧化钛薄膜的沉积温度依赖性
机译:通过原子层沉积获得的氧化锌单层阴极发光的温度依赖性
机译:通过共蒸镀和电沉积技术在铜(In,Ga)(S,Se)2上沉积氧硫化锌-Zn(O,S)缓冲层的原子层期间的温度效应
机译:低工艺温度下库珀种子层的等离子体增强原子层沉积。
机译:改善塞贝克系数的多孔模板中原子层沉积(ALD)纳米层压板热电薄膜合成的研究进展
机译:ZnO的室温等离子体增强原子层沉积:薄膜生长依赖于PEALD反应器配置
机译:原子层沉积法实现表面增强拉曼散射的高分辨率距离依赖性研究。