机译:脉冲激光沉积并五苯薄膜的生长模式
Institute of Physics, University ofRzeszow, Rejtana 16a, 35-309 Rzeszow, Poland;
Institute of Physics, University ofRzeszow, Rejtana 16a, 35-309 Rzeszow, Poland;
Institute of Physics, University ofRzeszow, Rejtana 16a, 35-309 Rzeszow, Poland;
Institute of Physics, University ofRzeszow, Rejtana 16a, 35-309 Rzeszow, Poland;
Lviv University ofTechnology, Bandery 12,90-646 Lviv, Ukraine;
pentacene; pld; growth modes; thin films;
机译:通过脉冲激光沉积以快速增长的速度制备的高迁移率低阈值电压并五苯薄膜晶体管
机译:通过脉冲激光沉积获得的并五苯薄膜的电性能
机译:c〜*轴取向并五苯薄膜的脉冲激光沉积
机译:GaAs上ZnSe薄膜脉冲激光沉积的非寻常生长模式。
机译:通过脉冲激光沉积和化学气相沉积合成新型材料:第一部分:氮化碳薄膜的能量沉积和稳定性。第二部分:一维材料和装置的催化生长。
机译:纳秒和飞秒脉冲激光沉积法生长和表征Cu(InGa)Se2薄膜
机译:用脉冲激光沉积和RHEED控制铁电薄膜生长方式的研究
机译:用于脉冲激光沉积薄膜的热,电子,流体动力学和动态沉积过程的建模