机译:在6H-SiC(0 001)表面上生长氧化锆薄膜
Institute of Experimental Physics, University of Wrodaw, pl. M. Boma 9, 50-204 Wrodaw, Poland;
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high-κ dielectrics; zirconium dioxide; silicon carbide; semiconductor/insulator interfaces;
机译:6H-SiC(0001)表面吸附锆和钛氧化物薄膜的比较
机译:XPS和LEED研究了在n-GaN(0001)表面上的锆和锆氧化物薄膜的生长
机译:Si(111)和Si(001)上的6H-SiC(0001)-(3×3)表面和超薄银膜的表面和电子结构
机译:使用脉冲激光沉积在(001)金属表面上外延生长氧化物薄膜
机译:氧化物表面和金属氧化物界面的反应性:水蒸气压力对超薄氧化铝膜的影响,以及铂在超薄氧化膜上的生长模式及其对粘附力的影响的研究。
机译:紫外/臭氧后处理对低温氧化薄膜晶体管的超声喷涂氧化锆介电膜的影响
机译:Si(111)和Si(001)上的6H-SiC(0001)-(3×3)表面和超薄银膜的表面和电子结构
机译:使用脉冲激光沉积在(001)金属表面上外延生长氧化物薄膜