机译:基板温度对脉冲真空电弧放电生长的W / WCN_x双层的影响
Universidad National de Colombia Sede Manizales, Km. 9 via al Magdalena, Manizales, Colombia;
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tungsten; EDS; XRD; structure; raman; morphology;
机译:退火温度对脉冲电弧放电生长的W / WC双层晶体相的影响
机译:脉冲真空电弧放电生长的W / WCN双层的力学和摩擦学行为
机译:影响衬底温度对脉冲弧技术制备的TiN / TiC双层结构性能的影响
机译:衬底温度对脉冲激光沉积生长的Ti-Ni-Zr拟晶膜的成果的影响
机译:基于外延锗层的金属氧化物半导体器件,通过超高真空化学气相沉积直接在硅衬底上选择性生长
机译:低温和真空超紫放电促进水热生长YVO4:Eu3 +纳米磷的发光淬火行为
机译:脉冲真空电弧放电生产TiN / TiC双层薄膜的Xps结构分析
机译:衬底温度和氢稀释比对热线化学气相沉积法生长纳米硅薄膜性能的影响