基板温度对金属超薄膜生长影响的模拟研究

摘要

基板的温度是薄膜生长的一个十分重要的物理参量.通过计算机建立了三个薄膜生长模型比较系统地对不同温度下的薄膜生长过程进行动态地模拟,并比较其模拟结果.MC模型(Monte Carlo)和KMC模型(Kinetic Monte Carlo)仅适用于薄膜的低温生长,并各自在(001)和(111)晶格表面进行生长模拟,通过用Arrhenius方程求概率的方法建立高温生长模型,并运用它对Fe/Fe(001)进行不同温度的模拟比较.