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机译:湿法刻蚀二氧化硅和氮化硅材料时马赫角轮廓的形成
Fdn Bruno Kessler, Ctr Mat & Microsyst, I-38123 Povo, Trento, Italy;
Fdn Bruno Kessler, Ctr Mat & Microsyst, I-38123 Povo, Trento, Italy|Univ Trento, Deptartment Phys, I-38123 Povo, Italy;
Fdn Bruno Kessler, Ctr Mat & Microsyst, I-38123 Povo, Trento, Italy|Univ Trento, Deptartment Phys, I-38123 Povo, Italy;
Fdn Bruno Kessler, Ctr Mat & Microsyst, I-38123 Povo, Trento, Italy;
Integrated optics materials; Material processing; Etching; Silica glass; Silicon nitride; Buffered hydrofluoric acid;
机译:磷酸蚀刻氮化硅过程中的二氧化硅形成
机译:使用氟硅酸铵的形成和脱附对氮化硅进行热循环蚀刻
机译:湿法刻蚀具有三角形轮廓的硅光栅
机译:通过组合等离子体形成GaN基底部的倾斜栅极,氮化硅湿化学蚀刻
机译:6H-碳化硅(0001)的表面蚀刻及其对氮化镓,MOCVD的氮化铝和APCVD的碳化硅生长的影响。
机译:异丙醇浓度和刻蚀时间对低电阻晶体硅晶片湿化学各向异性刻蚀的影响
机译:微镜角度依赖于通过湿法蚀刻在<100>硅上的蚀刻剂选择