机译:ZnO-纳米颗粒分散树脂的热纳米压印制备高亮度GaN基发光二极管
Univ Michigan, Dept Elect Engn & Comp Sci, Ann Arbor, MI 48109 USA;
Korea Univ, Dept Mat Sci & Engn, Seoul 136701, South Korea;
Korea Univ, Dept Mat Sci & Engn, Seoul 136701, South Korea;
Korea Univ, Dept Mat Sci & Engn, Seoul 136701, South Korea;
emitting diodes (LEDs); Nanoimprint lithography (NIL); ZnO-nanoparticle-dispersed resin (ZNDR); Light extraction efficiency;
机译:使用可热固化的单体型纳米压印光刻技术在GaN基发光二极管上制造二维光子晶体图案
机译:利用晶圆键合技术在Si上使用高亮度GaN基发光二极管
机译:使用Sn-Ag中间层形成高亮度GaN基发光二极管的低电阻透明铟锡氧化物欧姆接触
机译:基于温度的电致发光方法对高亮度GaN基发光二极管内部量子效率的综合研究
机译:GaN基发光二极管上的光学功能结构,用于提高光提取效率和控制发射模式。
机译:阳极氧化铝图案和纳米压印光刻技术从GaN基绿色发光二极管中提取光的研究
机译:基于高亮度GaN的发光二极管,具有基于氧化锡的透明欧姆接触