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机译:使用单能正电子束研究自组装单层表面密封及其对多孔低k电介质中金属扩散的影响
Univ Tsukuba, Fac Pure & Appl Sci, Div Appl Phys, Tsukuba, Ibaraki 3058573, Japan;
IMEC, Kapeldreef 75, B-3001 Heverlee, Leuven, Belgium;
IMEC, Kapeldreef 75, B-3001 Heverlee, Leuven, Belgium;
Univ Tsukuba, Fac Pure & Appl Sci, Div Appl Phys, Tsukuba, Ibaraki 3058573, Japan;
Univ Halle Wittenberg, Dept Phys, D-06099 Halle, Germany;
Helmholtz Zentrum Dresden Rossendorf, Inst Radiat Phys, D-01314 Dresden, Germany;
Helmholtz Zentrum Dresden Rossendorf, Inst Radiat Phys, D-01314 Dresden, Germany;
Low-k; Pore; Self assembled monolayer; Positron annihilation;
机译:Ar / H2等离子体预处理对通过自组装单层沉积进行孔隙密封的多孔k = 2.0电介质的影响
机译:通过自组装单层与原子层沉积相结合多孔超级-K电介质的孔密封
机译:图案化多孔低k电介质的特性:通过湿法加工/清洁进行表面密封和去除残留物
机译:用自组装单层(SAMS)的低k电介质(k = 2.0)的密封用于原子层沉积(ALD)的锡
机译:用于高级互连的多孔低k电介质的机械可靠性:多孔低k电介质的不稳定性机理及其通过惰性等离子体引发的骨架结构再聚合的介导研究。
机译:金属氧化物活性Si上的旋转浇铸和图案化有机膦酸上自组装单层电介质
机译:Cu /多孔超低k互连技术中的介质/金属扩散屏障
机译:用高强度慢正电子束二维角相关实验研究低k介质薄膜中的正电子