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机译:正电子ni没光谱研究合成温度对介孔二氧化硅有序孔结构的影响
Wuhan Univ, Dept Phys, Hubei Nucl Solid Phys Key Lab, Wuhan 430072, Peoples R China;
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Ordered mesoporous silica; Synthesis temperature; Pore structure; N-2 adsorption-desorption; Positronium;
机译:正电子an没寿命谱研究介孔二氧化硅的多孔结构
机译:用正电子an没光谱研究了老化引起的介孔二氧化硅膜开孔率的提高
机译:用正电子an没寿命光谱法测定介孔二氧化硅薄膜中笼状孔的入口尺寸
机译:正电子an没寿命谱研究介孔二氧化硅的多孔结构
机译:飞行时间正电子an灭诱导的俄歇电子能谱研究了真空退火下6H-碳化硅的表面改性。
机译:通过正电子湮没寿命光谱和椭圆仪孔隙测定研究的开放孔隙率和孔径分布的介孔二氧化硅膜
机译:通过正电子湮没寿命光谱和椭圆仪孔隙测定研究的开放孔隙率和孔径分布的介孔二氧化硅膜