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机译:InGaAs接触方案的有效肖特基势垒高度降低技术:D_(migs)和D_(it)还原以及界面偶极子形成
Korea Univ, Sch Elect Engn, Seoul 02841, South Korea;
Korea Univ, Sch Elect Engn, Seoul 02841, South Korea;
Korea Univ, Dept Nano Semicond Engn, Seoul 02841, South Korea;
Korea Univ, Sch Elect Engn, Seoul 02841, South Korea;
InGaAs; III-V compound semiconductor; Interfacial dipole; Contact resistance; Passivation;
机译:直接观察旋涂有机界面层对Hg / Si接触有效肖特基势垒高度调制的偶极影响
机译:硒隔离可有效降低NiGe / n-Ge接触中的肖特基势垒高度
机译:在NiSi / n-Si(100)界面上使用硫或硒有效降低肖特基势垒高度,以实现低电阻触点
机译:使用介电偶极子进行有效的肖特基势垒高度调制,以改善源极/漏极特定的接触电阻率
机译:介电偶极子减轻了肖特基势垒高度调整,从而降低了接触电阻。
机译:顶部栅极石墨烯场效应晶体管中金属石墨烯触点的栅极控制肖特基势垒降低的物理模型
机译:Ti3SiC2在p型4H-SiC欧姆接触中的肖特基势垒高度降低效应