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机译:使用在等离子体表面处理的p-GaN结构上形成的n-In_2O_3纳米棒进行绿色电致发光
Hanyang Univ, Dept Elect & Comp Engn, Seoul 133791, South Korea;
Hanyang Univ, Dept Elect & Comp Engn, Seoul 133791, South Korea;
Hanyang Univ, Dept Elect & Comp Engn, Seoul 133791, South Korea;
Korea Polytech Univ, Nanoopt Engn, Gyeonggi Do 15073, South Korea;
Hanyang Univ, Dept Elect & Comp Engn, Seoul 133791, South Korea;
Surface treatment; Green emission; Ga2O3; In2O3 nanorods;
机译:在氩等离子体中处理的PBSE薄膜表面中空铅结构的形成
机译:等离子体聚焦装置在硅表面形成多孔结构
机译:勘误至:等离子聚焦装置处理的硅表面多孔结构形成
机译:压缩等离子流处理的涂层基体系统表面的细胞结构形成
机译:高性能紫外线光电探测器和LED和光电探测器的单片集成在SI上生长的P-GAN / AlGaN / GaN异质结构上的LED和PhotoTopetector
机译:聚苯乙烯纳米光学光刻法制备的光子晶体结构P-GAN纳米棒的研究提高了INGAN / GAN绿色发光二极管光提取效率
机译:来自P-GaN / N-ZnO Nanorod异质结的缺陷辅助调谐电致发光