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机译:低能N〜+离子轰击后p-GaN(0001)表面电子性能的变化
Univ Wroclaw, Inst Expt Phys, Pl Maksa Borna 9, PL-50204 Wroclaw, Poland;
Univ Wroclaw, Inst Expt Phys, Pl Maksa Borna 9, PL-50204 Wroclaw, Poland;
Univ Wroclaw, Inst Expt Phys, Pl Maksa Borna 9, PL-50204 Wroclaw, Poland;
Semiconductor; GaN; Vacuum/surface interface; Valence band; Photoelectron spectroscopy;
机译:低能Na +轰击从干净的和改性的Ru(0001)表面发射电子-art。没有。 205412
机译:ZnO(0001?)和(0001)(√3×√3)-R30°表面的结构和电子性质的第一性原理研究
机译:在清洁的n-GaN和p-GaN(0001)表面上的能带弯曲和光发射引起的表面光电压-art。没有。 121308
机译:血浆(0001)/蓝宝石模板上血浆增强分子束外延生长的GZO薄膜电子和结构性能的影响
机译:用反射电子能量损失谱研究立方氮化硼(111)表面的低能离子轰击。
机译:氦离子轰击对ZnO纳米棒/ p-GaN发光二极管光学性能的影响
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机译:在清洁的n和p-GaN(0001)表面上的能带弯曲和光发射诱导的表面光伏。