机译:界面失配阵列对GaAs中III-Sb的原位退火对III-Sb结构和电性能的影响以及红外光检测
Nanyang Technol Univ, Sch Elect & Elect Engn, Nanyang Ave, Singapore 639798, Singapore;
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Molecular beam epitaxy; Compound semiconductor; In situ annealing; Hall measurement; Infrared photoconductor;
机译:界面失配阵列对GaAs表面III-Sb外延生长的影响
机译:通过界面失配阵列在GaAs上生长的GaSb太阳能电池,用于III-Sb多结电池
机译:快速热退火:一种提高碲补偿界面失配GaSb / GaAs异质结构电性能的有效方法
机译:用于高功率2μmVECSEL的GaAs / AlGaAs DBR上基于界面失配位错阵列的III-Sb有源区的生长
机译:原位热退火工艺对脉冲激光沉积制造CDS Cdte薄膜太阳能电池结构,光学和电性能的影响
机译:具有周期性90°错配位错界面阵列的GaAs衬底上生长的高弛豫GaSb的结构分析
机译:具有Al0.9Ga0.2As0.1Sb0.9势垒层的基于中红外InAs0.79Sb0.21的nBn光电探测器,以及与InAs0.87Sb0.13 p-i-n二极管的比较,两者均使用界面失配阵列在GaAs上生长
机译:生长和退火Gaas的表征:结构缺陷和电性能。