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机译:对隧道场效应晶体管的电流特性的更大理解通过双栅极和栅极 - 全面结构通过栅极位置和特性利用栅极位置和特性
Department of Electronic Engineering Gachon University Seongnam Gyeonggi-do 13120 Republic of Korea;
Department of Electronic Engineering Gachon University Seongnam Gyeonggi-do 13120 Republic of Korea;
Inter-University Semiconductor Research Center (ISRC) and Department of Electrical and Computer Engineering Seoul National University Seoul 08826 Republic of Korea;
Tunneling field-effect transistor; Dual-gate structure; Gate-all-around channel; Low-power operation; Gate controllability; Nanoscale transistor design;
机译:一种新的2-D分析模型,用于栅极 - 全绕异质隧道场效应晶体管包括耗尽区的电气特性
机译:对单栅,双栅和全栅隧穿隧道场效应晶体管进行建模
机译:有源层厚度不同的双栅极结构的InGaZnO_4薄膜晶体管的输出特性中的电流拥挤研究
机译:了解双栅聚合物场效应晶体管
机译:短沟道效应抑制和处理双栅极 - 全面Si纳米线晶体管中的过程变异性
机译:一种适用于低功率应用的新型锗环绕源栅极全能隧穿场效应晶体管
机译:考虑到闸门和排水电压对隧道的影响的隧穿场效应晶体管的分析电流模型