机译:退火对含各种阳离子前体的光加速化学沉积硫化铟薄膜的影响
School of Pure and Applied Physics, Kannur University, Kannur, Kerala, India;
School of Pure and Applied Physics, Kannur University, Kannur, Kerala, India ,Department of Physics, Pazhassi Raja N.S.S.College, Mattannur, Kerala, India;
School of Pure and Applied Physics, Kannur University, Kannur, Kerala, India ,Department of Physics, Pazhassi Raja N.S.S.College, Mattannur, Kerala, India;
机译:由三乙铵硫乙酸铟前体旋涂的硫化铟和氧化铟薄膜,用于n沟道薄膜晶体管
机译:由三乙铵硫乙酸铟前驱体旋涂的硫化铟和氧化铟薄膜,用于n沟道薄膜晶体管
机译:含氯化铟和硫代乙酰胺的水性化学浴中沉积的硫化铟薄膜的结构和组成分析
机译:CBD沉积的硫化铟薄膜改变前体浓度:基于QCM的研究
机译:通过化学浴沉积法生长的硫化镉用于铜铟二硒化物光伏薄膜太阳能电池的生长和表征。
机译:通过超声化学喷涂技术沉积的掺杂铟的氧化锌薄膜从乙酰丙酮锌和氯化铟开始
机译:硫化铟和氧化铟薄膜从用于N沟道薄膜晶体管的三乙基氨基铵前体旋涂。
机译:铅硫化物薄膜的光电导行为。第2卷。附录四。化学沉积铅硫化物层的光电导率。