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机译:超薄SiO_2中俘获的电子对金属氧化物半导体电容器在不同频率下的两态反转电容的影响
Department of Electrical Engineering, Graduate Institute of Electronics Engineering, National Taiwan University, Taipei, Taiwan, No. 1, Sec. 4, Roosevelt Road, Taipei 10617, Taiwan ROC;
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机译:具有HfO_2栅极电介质和α-Si/ SiO_2中间层的GaAs金属氧化物半导体电容器中电子和空穴反转的证据
机译:Si-SiO_2界面电子俘获/去俘获对阳极氧化超薄SiO_2 MOS(p)结构中二态电流的影响
机译:导带内的界面陷阱对InGaAs金属氧化物半导体电容器的电容电压特性的影响
机译:超薄SiO_2层中带电子的金属氧化物半导体隧穿光电二极管的灵敏度增强
机译:基于体氮化镓的电子设备:肖特基二极管,肖特基型紫外光电探测器和金属氧化物半导体电容器。
机译:陷波电子云辐射热计依靠频移。
机译:Si和GaAs衬底上金属氧化物半导体电容器中外围电荷引起的低频电容-电压行为的观察