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机译:应力记忆技术引起的拉伸应变对n沟道金属氧化物半导体晶体管中低频噪声的影响
Department of Electrical Engineering, Institute of Microelectronics, Advanced Optoelectronic Technology Center, Center for Micro/Nano Science and Technology, National Cheng Kung University, No. 1 Ta Hseuh Road, Tainan 70101, Taiwan;
机译:应力记忆技术引起的拉伸应变对n沟道金属氧化物半导体晶体管中低频噪声的影响
机译:栅电极/电介质界面对薄栅氧化物n沟道金属氧化物半导体场效应晶体管的低频噪声的影响
机译:关于拉伸应变硅衬底对n沟道金属氧化物半导体晶体管的低频噪声的有益影响
机译:纳米级金属氧化物半导体场效应晶体管中低频噪声的紧凑模型
机译:低功耗低噪声CMOS放大器的一些设计技术,具有针对GHz频率无线应用的噪声优化。
机译:使用自对准和激光干涉光刻技术制造的多栅极ZnO金属氧化物半导体场效应晶体管的性能增强
机译:绝缘栅应变si n沟道调制掺杂场效应晶体管的低频噪声
机译:在蓝宝石上的500 a薄膜硅中制造具有0.2微米栅极长度的n沟道金属氧化物半导体场效应晶体管。 (重新公布新的可用性信息)