机译:II型GaSb / GaAs耦合量子环:用于器件应用的室温发光增强和复合寿命延长
Institute of Electronics Engineering, National Tsing Hua University, Hsinchu 300, Taiwan;
机译:ll型GaSb / GaAs耦合量子环:用于器件应用的室温发光增强和复合寿命延长
机译:II型GaSb / GaAs量子环的室温电致发光
机译:室温下改进的InGaAs封端的II型GaSb / GaAs量子环的1.3-μ{rm m} $电致发光
机译:IC-II型“W”GASB / GAAS量子点嵌入Ingaas量子的室温激光
机译:用于光学器件应用的低温生长的InGaAs量子阱。
机译:在InP(100)衬底上生长的GaSb / InGaAs II型量子点的结构和光学性质
机译:具有增强的光致发光的混合型I型InAs / GaAs和II型GaSb / GaAs量子点结构