...
机译:以氟化Al2O3为栅极电介质的AlGaN / GaN金属绝缘体半导体高电子迁移率晶体管的阈值电压调制机制
机译:以氟化Al_2O_3为栅极电介质的AIGaN / GaN金属绝缘体半导体高电子迁移率晶体管的阈值电压调制机制
机译:使用多层氟化栅叠层的6.5 V高阈值电压AlGaN / GaN功率金属-绝缘体-半导体高电子迁移率晶体管
机译:通过臭氧预处理并将臭氧氧化剂用于Al2O3栅极绝缘体实现的高导通/截止电流比超过5 x 10(10)的AlGaN / GaN金属绝缘体半导体高电子迁移率晶体管
机译:ALD生长的Al2O3栅极电介质的AlGaN / GaN MOS-HEMT中的阈值电压不稳定性:与氧化物/半导体界面态密度分布的关系
机译:为改善AlGaN / GaN MOS-HFET中的阈值电压稳定性和电流崩塌抑制而研究ALD介电材料的研究。
机译:质子辐照对常断型AlGaN / GaN栅嵌入式金属-绝缘体-半导体异质结构场效应晶体管随时间变化的介电击穿特性的影响
机译:通过原位氟掺杂原子层沉积al2O3栅极电介质控制E模式和D模式GaN-on-si金属 - 绝缘体 - 半导体异质结构场效应晶体管中的阈值电压