机译:Ge1-x-ySixSny合金的基本带隙和直接-间接交叉
Department of Physics, Arizona State University, Tempe, Arizona 85287-1504, USA|c|;
机译:Ge_(1-x-y)Si_xSn_y合金的基本带隙和直接间接交叉
机译:In-0.49(ALYGA1-Y)(0.51)P合金在直接-间接带隙交叉处的发光强度的成分依赖性
机译:层状过渡金属二卤化物中的零点运动和直接-间接带隙交叉
机译:立方in_xga_(1-x)n和in_xal_(1-x)n合金的合金组合物对合金组合物的强大依赖性
机译:RPECVD制备的硅酸alloy合金的光谱研究:导带/价带偏移能和光学带隙的比较。
机译:尺寸受限的固定成分和依赖成分的工程带隙合金化在L-半胱氨酸封端的四元CdZnTeS量子点中诱导了不同的内部结构
机译:Ge1-x-YSixSny合金带隙的成分依赖性
机译:在si(0(le)x(le)上生长的si(sub 1-x)C(sub x)和si(sub 1-x)Ge(sub x)C(sub y)半导体合金的介电函数和带隙0.014)