机译:通过12英寸规模的硅晶片工艺,Pt籽晶层的结构特性与基于Heusler的Co2FeAl / MgO / Co2Fe6B2完全结的垂直磁各向异性相关
MRAM Center, Department of Electronics, Hanyang University, Seoul 133-791, South Korea|c|;
机译:通过12英寸规模的硅晶片工艺,Pt籽晶层的结构特性与基于Heusler的完整Co_2FeAl / MgO / Co_2Fe_6B_2结的垂直磁各向异性有关
机译:在400摄氏度下对Co2Fe6B2顶部自由层进行双MgO垂直磁性隧穿结自旋阀的隧穿磁阻比对Pt籽晶层厚度的依赖性
机译:基于Co2Fe6B2 / MgO的垂直自旋转传递扭矩磁隧道结自旋阀,无[Co / Pt](n)下部合成反磁性层
机译:具有不同堆叠结构的垂直各向异性MgO的垂直各向异性MgO磁隧道交配中的隧道磁阻性能和退火稳定性
机译:作者更正:使用单个SyAF Co / Pt n层的基于Co2Fe6B2顶层自由层的基于MgO的垂直双隧道垂直磁隧道结自旋阀结构
机译:作者校正:双面MgO的垂直磁隧道连接旋转阀结构,具有顶部CO2FE6B2自由层,使用单个SyaF Co / Pt n层
机译:从固溶体中蒸发出ZrO2mgO复合复合薄膜的工艺参数相关光学和结构特性