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机译:闪锌矿-纤锌矿GaAs纳米线侧壁表面的能带偏移
Institut d'Electronique et de Microélectronique et de Nanotechnologies, IEMN, CNRS, UMR 8520, Département ISEN, 41 bd Vauban, 59046 Lille Cedex, France|c|;
机译:闪锌矿-纤锌矿GaAs纳米线侧壁表面的能带偏移
机译:使用带有轴向GaAsSb插入物的GaAs纳米线确定GaAs锌共混物/纤锌矿的带隙
机译:GaAs表面终止对GaSb / GaAs量子点结构和能带偏移的影响
机译:结晶度对侧壁镶嵌纳米线多晶硅GAA FET可靠性的影响
机译:铂(997)的能带结构和铂(997)邻近表面上的铁纳米线的电子态。
机译:基于表面能最小化的汽液 - 固体GaAs纳米线单层生长的动态
机译:验证GaAsN / GaAs量子阱中的带隙和电子有效质量:光谱实验与10波段k.p建模
机译:具有不对称带偏移约束的alGaassb / InGaassb双异质结构中电致发光的蓝移。