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机译:光泵浦GaInN / GaN多量子阱,用于实现高效的绿色发光器件
OSRAM Opto Semiconductors GmbH, Leibnizstra&xdf';
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'||'e 4, 93055 Regensburg, Germany;
III-V semiconductors; energy gap; gallium compounds; indium compounds; light emitting diodes; optical pumping; quantum well devices; wide band gap semiconductors; 8535Be; 8560Jb;
机译:光泵浦GalnN / GaN多量子阱,用于实现高效的绿色发光器件
机译:绿色GaInN / GaN多量子阱结构中非常强的非线性光学吸收
机译:GaInN / GaN发光二极管多量子阱有源区中量子势垒厚度的影响
机译:绿色增益/ GaN多量子井结构非常强的非线性光学吸收
机译:以极性,半极性和非极性方向生长的InGaN / GaN多量子阱发光二极管。
机译:用于绿色发光二极管的In-In-InGaN / GaN多量子阱中的载流子定位
机译:通过表面等离子体耦合提高绿色发射GaInN / GaN多量子阱的内量子效率