机译:由于表面等离子体激元耦合,增强了规则排列的InGaN / GaN纳米柱在橙色和红色区域的发光效率和内部量子效率
机译:通过耦合到二维银阵列中的表面等离激元,增强了来自InGaN / GaN多量子阱的绿色发射。
机译:金纳米粒子的表面等离子体激元提高绿色InGaN / GaN多量子阱的发射效率
机译:具有InGaN / GaN量子阱的表面等离子耦合,可提高发光效率
机译:GaN基发光二极管和垂直腔表面发射激光器的量子效率增强。
机译:局部表面等离子体激元增强了AlGaN基量子阱中深紫外发射的极化和内部量子效率
机译:用ag纳米粒子增强GaInN / GaN量子阱结构的内量子效率