机译:勘误表:“原子层沉积氧化铝超障的疲劳特性及其对柔性有机电子器件可靠性的影响”物理来吧101,251901(2012)]
G. W. Woodruff School of Mechanical Engineering, Georgia Institute of Technology, Atlanta, Georgia 30332-0405, USA;
alumina; atomic layer deposition; fatigue; flexible electronics; molecular electronics; reliability; 6220me; 8115Gh; 8140Np; 8565+h; 9910Cd;
机译:原子层沉积氧化铝超壁垒的疲劳特性及其对柔性有机电子器件可靠性的影响
机译:原子层沉积氧化铝超壁垒的疲劳特性及其对柔性有机电子器件可靠性的影响
机译:勘误表:“低温下微波介电陶瓷中顺磁损耗的优势”物理来吧101,252901(2012)]
机译:勘误表:完整的单畴0.26Pb(In1 ∕ 2Nb1 ∕ 2)O3-0.46Pb(Mg1 ∕ 3Nb2 ∕ 3)O3-0.28PbTiO3单晶的材料性能 附录。物理来吧96012907(2010)
机译:错误:“柔性BifeO3 / Ni磁带的磁电性能”Appl。物理。吧。 101,012908(2012)