机译:外部反馈如何导致基于AlGaAs的二极管激光器退化?
Max-Born-Institut, Max-Born-Str. 2 A, 12489 Berlin, Germany;
III-V semiconductors; aluminium compounds; gallium arsenide; laser feedback; laser reliability; laser transitions; point defects; quantum well lasers; 4255Px; 4260By; 8535Be;
机译:外部反馈如何导致基于AlGaAs的二极管激光器退化?
机译:直接调制下/ splλ// 8相移分布式反馈激光二极管的低线性调频和外部光反馈特性
机译:直接调制下Λ/ 8相移分布式反馈激光二极管的低线性调频和外部光反馈特性
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机译:用于原子物理的外腔二极管激光器的构造和表征
机译:外部反馈如何导致基于alGaas的二极管激光器降级?