机译:调整限于自组装(Al,Ga)As壳量子点的中性和带电激子的g因子
Cavendish Laboratory, University of Cambridge, J. J. Thomson Avenue, Cambridge CB3 0HE, United Kingdom;
机译:调整限于自组装(Al,Ga)As壳量子点的中性和带电激子的g因子
机译:自组装In(Ga)As /(Al)GaAs量子点中中性和带电激子的精细结构-艺术没有。 195315 [评论]
机译:自组装(In,Ga)As / GaAs量子点中中性和带电激子的压力效应
机译:在相同的单量子点中控制生成中性,带负电和带正电的激子
机译:InGaAs量子柱中的太赫兹吸收和砷化铟/砷化镓量子点中的电磁场的激子调谐。
机译:半导体量子阱中带电和中性激子上光子回波的极化测定
机译:压力对自组装中性和带电激子的影响 InGaas / Gaas量子点