机译:Si掺杂AlGaN的金属有机化学气相沉积生长过程中补偿点缺陷的费米能级控制
Department of Materials Science and Engineering, North Carolina State University, Raleigh, North Carolina 27695, USA;
机译:Si掺杂AlGaN的金属有机化学气相沉积生长过程中补偿点缺陷的费米能级控制
机译:金属有机化学气相沉积法生长掺Si的GaAsSb层的P型电导率控制
机译:金属有机化学气相沉积法生长的应变补偿堆叠InAs / GaAs量子点中的缺陷溶解
机译:通过位置控制的种子阵列通过有机金属化学气相沉积在精确的Si(001)衬底上生长低缺陷密度InP
机译:通过金属有机化学气相沉积来控制准一维锌-镉-硒纳米结构的晶体结构,形态和取向生长的途径。
机译:具有可控AsxSb1-x界面的InAs / GaSb II型超晶格的金属有机化学气相沉积生长
机译:具有可控AsxSb1-x界面的InAs / GaSb II型超晶格的金属有机化学气相沉积生长
机译:用降阶设计模型控制化学气相沉积薄膜的补偿器