机译:使用C-V和I-V测量准确提取碳纳米管网络晶体管中的迁移率
School of Electrical Engineering, Kookmin University, Jeongneung-dong, Seongbuk-gu, Seoul 136-702, South Korea;
机译:使用C-V和I-V测量准确提取碳纳米管网络晶体管中的迁移率
机译:使用C-V和I-V测量值直接提取并五苯OFET中的迁移率
机译:使用C-V测量确定薄膜FDSOI晶体管的阱平坦带状条件,以准确提取参数
机译:纳米管碳晶体管(CNTFET):I-V和C-V,FETTOY模拟器与紧凑型模型之间的定性比较
机译:使用碳纳米管场效应晶体管的蛋白质的单分子测量
机译:基于选择性化学的半导体分离单壁碳纳米管和纳米管阵列的对准用于场效应晶体管应用的电场下的网络
机译:使用C-V测量提取Nb掺杂的ZnO薄膜晶体管的状态子带隙密度
机译:聚合物基板上的高迁移率碳纳米管薄膜晶体管。