机译:阳极氧化法制备的具有非常低状态密度的金属氧化物半导体结构中的无氧化物InAs(111)A界面
Rzhanov Institute of Semiconductor Physics, SB RAS, 13, Lavrentiev Ave., Novosibirsk 630090, Russian Federation;
机译:阳极氧化法制备的具有非常低状态密度的金属氧化物半导体结构中的无氧化物InAs(111)A界面
机译:具有低界面陷阱密度和低栅极泄漏电流密度的1nm电容等效厚度HfO2 / Al2O3 / InGaAs金属氧化物半导体结构
机译:具有低界面陷阱密度和低栅极泄漏电流密度的1nm电容等效厚度HfO_2 / Al_2O_3 / InGaAs金属氧化物半导体结构
机译:通过阳极氧化技术制备的具有氧化物的沟槽结构金属氧化物半导体(MOS)太阳能电池
机译:金属氧化物半导体器件中硅/二氧化硅界面粗糙度和界面捕获电荷的低温测量。
机译:全方位栅InAs纳米线金属氧化物半导体场效应晶体管中的高度栅可调Rashba自旋轨道相互作用
机译:通过金属层的等离子体氧化控制GaN基金属氧化物半导体异质结构中的界面电荷密度
机译:具有纳米结构电极的低温,阳极支撑的高功率密度固体氧化物燃料电池