机译:多层石墨烯中反磁性边缘量子阱中捕获的多余电子引起的磁性
Institute of Nanosurface Science and Engineering, Shenzhen University, Shenzhen 518060, China;
机译:多层石墨烯中反磁性边缘量子阱中捕获的多余电子引起的磁性
机译:具有过量电子的多层石墨烯中的拉伸应变诱导的磁跃迁:边缘量子阱的稳定性
机译:电子辐照辅助碳膜生长过程中O_2的引入增强了石墨烯边缘诱导的磁性
机译:热空穴注入SiO / sub 2 /薄膜引起的电子陷阱和过大电流
机译:面向纳米材料的应用:胶体量子点存储器和多层石墨烯电子学和光电学。
机译:石墨烯及相关多层结构中轨道相关的电子-空穴相互作用
机译:具有过量电子的多层石墨烯中的拉伸应变诱导的磁转变:边缘量子阱的稳定性