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Co/ZnO/FeNi磁性多层膜中的垂直(CPP)磁电阻效应

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本文研究了Co/ZnO/FeNi磁性多层膜的垂直磁电阻特性.利用多靶磁控溅射系统和光刻技术在Si(100)衬底上制备出微米尺寸的(Co/ZnO/FeNi/ZnO)<,2>多层膜样品.在77K温度下对其磁电阻进行了测量,样品电阻为几个欧姆,磁电阻可达3.3﹪.

著录项

来源
《第三届全国磁性薄膜与纳米磁学学术会议》|2001年|79-80|共2页
会议地点兰州
作者
陈延学; 郝晓涛; 任妙娟; 萧淑琴; 刘宜华; 梅良模;
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作者单位

中国物理学会;

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会议组织
正文语种
原文格式 PDF
中图分类 O484.43;
关键词
磁性多层膜; 磁控溅射; 光刻技术; 磁电阻效应; 输运性质;

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