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机译:基于AlGaN / GaN的多量子阱子带内结构的中红外电致发光和吸收
University of Neuchâtel, Institute of Physics, 51 Avenue de Bellevaux, Neuchâtel, CH–2009, Switzerland|c|;
机译:基于AlGaN / GaN的多量子阱子带内结构的中红外电致发光和吸收
机译:在多量子阱中使用p-AlGaN沟槽提高了GaN基发光二极管的内部量子效率
机译:在多量子阱中通过近红外照明激活的中红外子带间吸收的室温观察
机译:作为多量子阱结构的IN_(0.53)GA_(0.47)的尖端能量和eIGEN能量的定量模型的光谱分析和in_(0.53)Ga_(0.47)的吸收
机译:多量子阱结构可改善多结太阳能电池的性能。
机译:自上而下嵌入多量子阱的AlGaN纳米棒阵列的光学性能
机译:Gadyn / AlGaN多量子井结构的生长和表征