机译:混合连接引起的从绝缘体到金属的过渡
Department of Applied Physics and Key Laboratory for Micro-Nano Optoelectronic Devices of Ministry ofEducation, Hunan University, Changsha 410082, People’s Republic of China2Key Laboratory of Organic Solids, Institute of Chemistry, Chinese Academy of Science, Beijing 100080,People’s Republic of China;
机译:石墨烯和氮化硼纳米带混合连接引起的从绝缘体到金属的转变
机译:金属绝缘体转换:3D局部操纵VO中的金属绝缘体过渡行为 2 sub> 2 缺陷诱导的晶格工程薄膜(ADV。母体。界面界面8/2018)
机译:过渡金属氧化物中的轨道绝缘子和有序无序诱导的金属-绝缘子转变
机译:温度依赖性O-P-Fe-D杂交参数在Fe3O4金属 - 绝缘体过渡中的作用:理论研究
机译:电场诱导二氧化铌薄膜的生长及其从金属到绝缘体的转变
机译:过渡金属纳米结构:VIIIB和IB组过渡金属的低维结构的形成和稳定性:sd4杂交的作用(Adv。Sci。4/2016)
机译:金属绝缘体转型:3D局部操纵VO 2薄膜的金属绝缘体过渡行为通过缺陷诱导的晶格工程(ADV。母体。界面8/2018)