机译:LA:HFO_2的电荷运输机制
Rzhanov Institute of Semiconductor Physics SB RAS 13 Lavrentiev ave. 630 090 Novosibirsk Russia Novosibirsk State University 2 Pirogov str. 630090 Novosibirsk Russia Novosibirsk State Technical University 20 Marx ave. 630073 Novosibirsk Russia;
Rzhanov Institute of Semiconductor Physics SB RAS 13 Lavrentiev ave. 630 090 Novosibirsk Russia Novosibirsk State University 2 Pirogov str. 630090 Novosibirsk Russia;
机译:SiO_2 / HfO_2堆中多声子陷阱电离机制导致HfO_2中的电荷传输
机译:原子层沉积多层HFO_2 / AL_2O_3堆叠的传导和充电机构分析,用于电荷捕获闪存
机译:由p掺杂空穴传输层/ HATCN / n掺杂电子传输层组成的电荷产生单元中的电荷产生机理
机译:nMOS晶体管中HfO_2栅堆叠传输机制的实验研究
机译:用于了解通过自组装单分子层传输电荷的机制的工具
机译:共轭聚合物中的异常电荷传输揭示诱捕和渗透的潜在机制
机译:硅量子点/ SiO2薄膜和超晶格中的弹性隧穿电荷传输机制