机译:通过天线 - 边缘型微波等离子体化学气相沉积鲁(0001)/ C-Sapphire上ru(0001)/ c-蓝宝石的局部初始异质生长
Faculty of Science and Engineering Waseda University 3-4-1 Okubo Tokyo 169-8555 Japan;
Institute of Wide Band Cap Semiconductors Xi'an Jiaotong University Xi'an 710049 China;
Faculty of Science and Engineering Waseda University 3-4-1 Okubo Tokyo 169-8555 Japan;
Institute of Wide Band Gap Semiconductors Xi'an Jiaotong University Xi'an 710049 China;
Faculty of Science and Engineering Waseda University 3-4-1 Okubo Tokyo 169-8555 Japan Kagami Memorial Laboratory for Materials Science and Technology Waseda University 2-8-26 Nishiwaseda Tokyo 169-0051 Japan;
机译:使用天线边缘型微波等离子体辅助化学气相沉积法在Ir(001)/ MgO(001)衬底上初始生长异质外延金刚石
机译:使用天线边缘型微波等离子体辅助化学气相沉积法在Ir(001)/ MgO(001)衬底上初始生长异质外延金刚石
机译:使用天线边缘型微波等离子体辅助化学气相沉积法在Ir(001)/ MgO(001)衬底上制备异质外延金刚石薄膜
机译:微波等离子体喷射化学气相沉积法用于金刚石膜的生长
机译:通过微波等离子辅助化学气相沉积法生长和表征大型,高质量的单晶金刚石基底。
机译:微波等离子体化学气相沉积法在4H-SiC上异质外延金刚石生长
机译:利用微波等离子体化学气相沉积法在4H-siC上生长异质外延金刚石
机译:通过微波等离子体辅助化学气相沉积在高温下高生长率同质外延金刚石膜沉积