机译:用槽门结构研究AlGaN / CAN高电子迁移率晶体管中表面陷阱的充电电流
Peking Univ Inst Microelect Beijing 100871 Peoples R China;
Peking Univ Inst Microelect Beijing 100871 Peoples R China;
Peking Univ Inst Microelect Beijing 100871 Peoples R China;
Peking Univ Inst Microelect Beijing 100871 Peoples R China;
Peking Univ Inst Microelect Beijing 100871 Peoples R China;
Peking Univ Inst Microelect Beijing 100871 Peoples R China;
Peking Univ Inst Microelect Beijing 100871 Peoples R China;
机译:用肖特基栅极结构研究AlGaN / GaN高电子迁移晶体管中表面疏水阀诱导的电流塌陷现象
机译:高反向偏压下AlGaN / GaN高电子迁移率晶体管结构栅漏电流的薄表面势垒模型研究及计算机辅助设计仿真。
机译:交流跨导法研究HfO
机译:AlGaN / GaN高电子迁移率晶体管中受空间电荷限制的栅极电流噪声
机译:处理表面状态的传输拐点和电荷陷阱对AlGaN / GaN HFET漏极电流的影响。
机译:AlGaN / GaN高电子迁移率氟处理和凹槽通过氟处理和凹陷栅极充电效果
机译:具有纳米级肖特基栅极的AlGaN / GaN异质结构场效应晶体管中的栅极控制,表面泄漏电流和外围电荷