机译:增强模式AL_(0.85)GA_(0.15)N / AL_(0.7)GA_(0.3)N高电子移动晶体管,具有氟处理
Sandia Natl Labs Albuquerque NM 87123 USA;
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机译:采用氟处理的增强模式Al_(0.85)Ga_(0.15)N / Al_(0.7)Ga_(0.3)N高电子迁移率晶体管
机译:霍尔和光致发光研究对In_(0.15)Ga_(0.85)As / Al_(0.25)Ga_(0.75)As / GaAs高电子迁移率中心处附加In_(0.3)Ga_(0.7)As层的厚度的影响晶体管
机译:具有单个Al_(0.75)Ga_(0.25)As电流阻挡层的850nm In_(0.15)Al_(0.08)Ga_(0.77)As / Al_(0.3)Ga_(0.7)As垂直腔面发射激光器的高温稳定性
机译:GaAs / Ga_(0.85)Al_(0.15)As / Ga_(0.7)Al_(0.3)As双步量子阱中的Wannier激子结合能
机译:砷化铟铝/砷化铟镓/磷化铟增强型和耗尽型高电子迁移率晶体管的铱基栅极结构的开发
机译:AlGaN / GaN高电子迁移率氟处理和凹槽通过氟处理和凹陷栅极充电效果
机译:高达500°C的AL0.85GA0.15N / AL0.7GA0.3N高电子迁移率晶体管