机译:基于CaN的共振隧穿二极管具有出色的生长,良率,可重复性和开关性能
NAS-NRC Postdoctoral Research Fellow Residing U.S. Naval Research Laboratory Washington DC 20375 USA;
U.S. Naval Research Laboratory Washington DC 20375 USA;
Department of Electrical and Computer Engineering The Ohio State University Columbus Ohio 43210 USA;
Departments of Physics and Electrical Engineering Wright State University Dayton Ohio 45435 USA;
Jacobs Engineering Croup Hanover Maryland 21076 USA;
机译:照明对三角势垒谐振二极管的开关性能的影响
机译:间隔层厚度对硅基谐振带间隧穿二极管性能的影响及其在低功率隧穿二极管SRAM电路中的应用
机译:高性能非易失性记忆GaN / ALN谐振隧道二极管的生长和表征
机译:噪声驱动的共振隧穿二极管可激发光电振荡器中开关和脉冲行为的观察
机译:砷化铝/砷化镓三势垒共振隧穿二极管中的光诱导开关,隧穿和弛豫过程。
机译:自组装InAs岛对光开关谐振隧穿二极管界面粗糙度的影响
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机译:用于天基光通信应用的光开关谐振隧道二极管