机译:基于单层Crl_3可调霍尔电导率的自旋电子器件的理论模型
Jilin Univ Dept Phys Changchun 130012 Peoples R China;
Jilin Univ Dept Phys Changchun 130012 Peoples R China|Jilin Univ Dept Phys Minist Educ Key Lab Phys & Technol Adv Batteries Changchun 130012 Peoples R China;
机译:APS -APS 2017年3月会议-活动-锑单层材料中具有可调边沿状态的新型量子自旋量子异常霍尔效应
机译:基于Sb单层的异质结构中具有可调边缘态的量子自旋量子异常霍尔效应
机译:基于Sb单层的异质结构中具有可调边缘态的量子自旋量子异常霍尔效应
机译:旋转谷霍尔疗效近室温度控制单层WSE_2晶体管用于旋转式应用
机译:基于贝里相位法的铁电体有限电场和霍尔电导率反常的第一性原理计算。
机译:在分裂门控石墨烯器件中具有完全退化的量子霍尔边缘通道的可调传输
机译:具有可调谐边缘状态的量子自旋量子异常霍尔效应 基于sb单层的异质结构